5月23日消息，三星曾在去年10月的“SAMSUNG FOUNDRY FORUM 2021”论坛活动上，宣布将于2022年上半年领先台积电量产3NM制程。近日，在美国总统拜登参观三星平泽晶圆厂之时，三星首次公开展示了其3NM工艺制造的12英寸晶圆。按计划，三星将在今年Q2季度量产，比台积电还要早一些。
对三星来说，3NM节点是他们押注芯片制程工艺赶超台积电的关键，因为台积电的3NM工艺不会上下一代的GAA（全环绕栅极）晶体管技术，三星的3NM节点则抢先启用GAA技术，这是一种新型的环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（MULTI-BRIDGE-CHANNEL FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FINFET晶体管技术。
根据三星的说法，与7NM制造工艺相比，3NM GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%，纸面参数上来说却是要优于台积电3NM FINFET工艺。
根据三星之前的规划，其3NM GAA工艺将在2022年Q2季度量产。不过，根据之前韩国媒体的爆料显示，三星4NM制程良率仅35%，3NM GAA 制程良率刚达10%~20%。这也意味着其真正商用量产的时间可能会推迟。高通此前已经因为三星4NM良率问题将骁龙8＋交给了台积电4NM代工，因此高通下一代旗舰芯片可能不会率先采用三星3NM工艺，更为可能是三星自家的EXYNOS处理率先“趟雷”。