目前，三星和台积电是全球仅有的两家合同芯片制造商能够以先进的制造技术制造半导体，而后者在市场上处于领先地位。
今年6月，三星抢先宣布3纳米量产，此后也在不停追赶台积电的脚步。
据外媒报道，三星4纳米在良率显著提升下，正着手扩产，预计今年第4季每月新增上看2万片产能，并规划在4纳米豪掷约5万亿韩元投资。
三星电子日前公开表示，第2季资本支出集中在韩国平泽P3厂区基础设施以及华城、平泽，与大陆西安厂的工艺升级，对晶圆代工的投资则专注提高5纳米以下先进制程生产能力。
据BUSINESSKOREA报道，三星电子预计将在今年内发布236层NAND闪存产品。此外，它还计划在本月开设一个新的研发中心，负责更先进NAND闪存产品的开发。
当前，存储芯片制造商正在竞相增加其产品层数。SK海力士最近完成了238层产品的开发，美光科技宣布开发出全球首款232层NAND闪存产品。（文：拓墣产业研究整理）