美国《芯片法案》成为全球焦点之际，晶圆代工“一哥”台积电非常罕见地在中国大陆公布了其先进技术规划。
钛媒体APP 8月19日消息，昨日南京举行的2022年世界半导体大会上，台积电（中国）有限公司副总监陈芳表示，台积电N3（又称3NM）芯片将在今年下半年进入量产；3NM加强版N3E将会在2023年下半年（年底）量产，应用于移动手机芯片、HPC（高性能计算）等领域。
昨天有媒体报道称，陈芳表示“如果有手机的客户当下采用3NM芯片，明年产品就能问世”。钛媒体APP多次回放了现场视频和录音资料，证实台积电昨日并未提到相关信息。因此，如无意外，这是一条不实消息。
同时，台积电（南京）有限公司经理苏华昨日首次公布，其南京FAB16厂目前主要制造12NM、16NM工艺的芯片。而南京厂扩建的 1B 期28NM工艺产线，即台积电南京二厂，预计将在2022年下半年量产。
目前唯一能与台积电在先进技术上竞争的是三星电子。7月25日，三星电子宣布在韩国京畿道华城园区量产基于GAA晶圆架构的3NM芯片，应用于HPC、移动SOC等领域，韩国媒体THEELEC报道称，3NM客户包括上海磐矽半导体有限公司（PANSEMI），高通等。
本次世界半导体大会台积论坛上，台积电团队详细公布了先进工艺、特殊工艺、先进封装技术、扩建产能等最新进展和未来规划。
其中在先进工艺方面，2020年量产的N6（6NM），是台积电第一代利用EUV（极紫外光刻）技术的先进工艺平台，包括7NM和N6在内，产品组合包括手机、CPU/GPU/XPU处理器领域，以及RF射频和消费类应用，预计今年底产品NTO（NEW TAPE OUT，指新产品流片）将超过400个；台积电5NM芯片已在2020年量产，预计年底，5NM N5/N5P及4NM N4P/N4X产品NTO将超过150个，基于N4P的V0.9 IP已经在今年二季度完成，高端接口预计今年第三季度得以完成。
N3/N3E（3NM）芯片是目前台积电最先进的逻辑制程，相较于5NM，基于N3E工艺的芯片密度高出1.3倍，逻辑密度门增加1.6倍，在相同功耗下速度提升15-20%，或在相同速度下功耗降低30-35%。3NM系列的创新主要在于使用FINFLEX技术，可以在提升密度的情况下维持速度和功耗的平衡。基于N3经验，N3E将会在明年底量产，相关逻辑测试芯片及3NM 256MB SRAM（静态随机存取存储器）良率达到80%左右。
2025年批量制造生产的N2（2NM）芯片，采用纳米片晶体管架构，支持CHIPLET（小芯片）技术。相较于N3E，2NM在相同功耗下会有10％-15%速度提升，或在相同速度下功耗降低25％-30%，晶圆密度高出1.1倍。预计2NM将主要应用于手机SOC、HPC等领域，以实现最佳能效和性能。
特殊工艺方面，据台积电（中国）有限公司客户经理商智渊介绍，台积电设立了一个综合专业技术平台（INTEGRATED SPECIALTY TECHNOLOGY PLATFORM）解决方案，实现物联网与边缘AI低功耗、5G和先进射频技术、MCU或存储器、电源管理IC、CMOS图像传感器等不同领域的不同晶圆制造方案，以提高PPA（性能，效能，面积）。
据悉，2016-2021年，台积电在特殊工艺研发投资年复合增长率超过40%；12寸WAFER技术制造年增长率约为8%，未来五年的年复合增长率有望达到9%，只高不低。苏华称，今年台积电在特殊工艺资本投入大概是过去三年平均3.5倍以上；目前特殊工艺占先进制程收入增长比重达63%。
先进制造产能方面，据苏华透露，2018年-2022年，台积电先进技术产能年复合增长率超过70%，预计今年5NM产能将是2020年的四倍以上。
据悉，2019年-2022年，台积电每年新建工厂数量分别为2座、6座、7座（全在中国台湾地区）、5座，其中不仅是先进产能，还包括成熟芯片的产能。台积电（中国）有限公司技术总监陈敏表示，在汽车等领域对成熟芯片的需求增加下，台积电持续研发最先进的工艺，为客户提供最先进的芯片，同时也增加成熟制程芯片的投资。
“在以前，我们的产能扩充主要是以先进制程为主，但是现在已经不一样，我们看到成熟制程客户的产能需求也在增加，而且，尽管我们面临一个短期内的波动，但是结构性需求的成长趋势是长期的。所以，这也是为什么台积电对于半导体产业的未来感到乐观。”陈敏指出。
她强调，由于疫情等影响，供应链管理变得愈加重要，更多客户以调整库存方式增加供应链灵活度，但同时，台积电也需要在供应链和成本之间取一个平衡。台积电将持续与供应链齐心合作，和客户建立长期合作伙伴关系，这一点不会发生变化。（本文首发钛媒体APP，作者｜林志佳）